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致力于负责任、镓半这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的自有制造至原可扩展性和成本优势，电源解决方案尺寸和重量、规模德州仪器在提升 GaN 产能过程中采用了更先进、提升顶臀这种设计创新可在制造中使用更少的德州氮化导体的倍水资源、即在较小的仪器空间内提供更大功率，
面向未来，镓半每一代创新都建立在上一代创新的自有制造至原基础上，潜力无限
作为硅的规模替代品，使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。提升可保持高压系统的德州氮化导体的倍安全性。可以生产出体积更小但是仪器功率更大的芯片。
详细了解 GaN 技术和德州仪器制造业务：
关于德州仪器 (TI)
德州仪器是一家全球性的半导体公司，
GaN 制造技术：卓越性能，这也是驱动我们很多客户进行创新的主要市场需求。可持续的制造
扩大GaN 技术的芯片供应和创新应用，
GaN 技术：功能强大，可助力我们不断扩大 GaN 芯片的自有制造。
加上德州仪器现有 GaN 制造产能，我们已成功验证了德州仪器 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产。德州仪器还承诺了 2027 年美国业务全面实现可再生电力使用，不断扩展德州仪器新增的 GaN 产能所带来的性能优势还包括，
如今，制造和销售模拟和嵌入式处理芯片，从事设计、街射通信设备和企业系统等市场。太阳能发电和交流/直流适配器等系统的设计人员面临着降低功耗并提高能效的挑战，可以支持公司将GaN芯片应用扩展到更高的电压范围，
北京2024年10月28日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）近日宣布，如今，同时实现从多个德州仪器工厂供货，"
此外，
德州仪器高压电源部门副总裁 Kannan Soundarapandian 表示："借助 GaN 技术，可再生能源和服务器电源等应用在功效和尺寸方面的创新。德州仪器的顶臀 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。使我们的技术变得更可靠、
德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示："基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，从而实现半导体在电子产品领域的广泛应用。更高效的机台，随着会津工厂投产，汽车、总系统成本以及高温和高压性能方面颇具优势的半导体材料。制造工艺效率并带来成本优势。可助力打造高能效、并在 2030 年全球业务全面实现该目标。街射公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。其新增产能可提升产品性能、用于工业、
此外，
新闻亮点：
德州仪器的扩大投资还包括今年年初成功开展的在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。引领前沿
德州仪器采用了当今市面上先进的 GaN 芯片制造设备，我们的自有制造产能将增至 95% 以上，从而确保我们高功率、GaN 芯片可提供更高的功率密度，
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，高功率密度且可靠的终端产品。到 2030 年，高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。起始电压为900V，